Для российской микро- и наноэлектроники требуются отечественные материалы

В условиях санкций быстрый переход российской промышленности на отечественные материалы для микроэлектроники стал и остается чрезвычайно актуальной задачей. Кроме того, перспективы развития микро- и особенно наноэлектроники определяются поиском новых материалов, особенно низкоразмерных и решений, на основе которых будет возможно создание принципиально новой элементной базы.

Задача обеспечения отечественных предприятий материалами непростая, но в стране накоплен серьезный научный и технологический потенциал для ее решения. Обеспечению всего необходимого для создания новых отечественных материалов в последнее время большое внимание уделяет государство. Так, одним из проектов для достижения национальной цели «Технологическое лидерство» является национальный проект «Новые материалы и химия», рассчитанный до 2030 года. Его куратор — первый заместитель председателя правительства РФ Денис Мантуров.

Ускорение создания инновационных российских материалов, в том числе для микроэлектроники, находится под контролем и у главы государства. Владимир Путин 21 февраля прошлого года принял участие в работе Форума будущих технологий, посвященного химии и применению новых материалов. Президент России с трибуны Форума подчеркнул: «Совершенно очевидно, чтобы быть в числе лидеров по ключевым направлениям научно-технологического развития, а именно такую задачу мы ставим перед собой, нам нужно добиться, в том числе, превосходства в области химии и в создании новых материалов».

По итогам пленарного заседания и посещения выставки Форума будущих технологий, а также встречи с учеными, состоявшихся 21 февраля 2025 года, Владимр Путин утвердил перечень поручений. Документ предусматривает разработку мер, направленных на поддержку нацпроекта «Новые материалы и химия» в сфере промышленного внедрения перспективных разработок, цифровизации, подготовки кадров и других. Отдельные поручения касаются мер по развитию отрасли производства и промышленного внедрения химических катализаторов, разработки и производства перспективных устройств для накопления и хранения энергии, создания материалов в сфере фотоники, а также предусматривают создание межотраслевой цифровой базы данных свойств высокотехнологичных материалов и их компонентов.

С 28 по 30 мая 2026 года Центром компетенций Минобрнауки России совместно с госкорпорацией «Ростех» и Роспатентом на базе Казанского национального исследовательского технического университета им. А. Н. Туполева была организована стратегическая сессия по кооперации науки и бизнеса «Новые материалы и химия», целью которой являлось усиление взаимодействия между научными и индустриальными партнерами, а также решение актуальных вопросов научно-технической политики.

Сегодня в стране активно ведутся работы по созданию новых отечественных материалов для микро- и наноэлектроники. Так, в 2025 году была завершена опытно-конструкторская работа по созданию молд-компаунда под руководством НИУ МИЭТ при участии АО «Институт Пластмасс», ФИЦ ИПХФ и МХ РАН. Молд-компаунд — это полимерный композитный материал, применяемый для герметизации кристаллов микросхем методом трансферного прессования. Он обеспечивает механическую фиксацию кристалла, защищает активные элементы от влаги, пыли, коррозии и механических повреждений, а также отводит тепло.

До сих пор российские производители микроэлектроники вынуждены были использовать импортные аналоги, преимущественно китайские. Это создавало зависимость от логистических цепочек, увеличивало сроки поставок и себестоимость продукции электроники.

Успешные испытания первого российского молд-компаунда были осуществлены на производственных мощностях GS Nanotech, предприятия в области разработки, корпусирования и тестирования микроэлектроники (входит в холдинг GS Group). На основании данных, полученных в результате отработки технологии и тестирования, новый материал обладает значительным потенциалом для замены зарубежного аналога EMG-700-BSE. Об этом сообщила пресс-служба GS Group.

О другом примере успешного тестирования нового российского материала — на зеленоградском заводе «Микрон», говорится в сообщении пресс-службы ОЭЗ «Технополис Москва», чьим резидентом является предприятие. Речь идет о первом отечественном фоторезисте для производства интегральных микросхем по технологическому процессу 90 нм, разработанном и созданном в результате плотной научно-технической кооперации АО «НИИМЭ», ФИЦ ПХФ и МХ РАН и ООО «Поликетон».

Фоторезист — это светочувствительный полимерный материал, используемый в фотолитографии, ключевом процессе производства микросхем. Он позволяет создавать на поверхности кристаллической подложки будущую топологию процессора, через которую осуществляется процесс микроструктурирования кристаллической подложки.

Созданием новых прорывных материалов для ЭКБ занимаются и в РАН. Так, сайт Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН сообщил 5 марта 2026 года о ведущейся учеными института разработке нового материала для энергонезависимых элементов памяти. Статью о работе они опубликовали в авторитетном журнале The Journal of Physics and Chemistry of Solids. В ней рассматривается создание элементов флеш-памяти, где заряд хранится в массиве самоорганизованных квантовых точек. Внимание группы новосибирских ученых в данный момент сосредоточено на системе квантовых точек на основе GaN/AlN. Расчеты, опубликованные в статье, показали, что эти объекты характеризуются весьма высокой энергией локализации электронов, которой вполне достаточно для энергонезависимого хранения заряда в течение десяти лет.

Разработка резистов для технологических процессов фотолитографии, электронно-лучевой, ионно-лучевой литографии, рентгеновской литографии и наноимпринтинга наряду с работой по созданию целого ряда других новых перспективных материалов будут обсуждаться на заседаниях секции №13 Российского форума «Микроэлектроника 2026» «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» 12-й Научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули». Конференция состоится в рамках форума «Микроэлектроника 2026», который стартует 27 сентября и продлится до 3 октября.

Фото: пресс-служба Российского форума «Микроэлектроника 2026»