Ученые выяснили, что свойства данного материала могут изменяться вследствие наличия точечных дефектов в его структуре. Это открытие делает феррит никеля перспективным материалом для применения в спинтронике и производстве микросхем резистивной памяти, пишут «Известия».
Сложные расчеты электронной структуры феррита никеля и аналогичных материалов, выполненные российскими и зарубежными учеными, могут поспособствовать созданию высокопроизводительных электронных устройств.
Лаборант Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Василий Чалый отметил, что данное исследование открывает возможности для разработки энергонезависимых микросхем резистивной памяти, где управление проводимостью осуществляется путем формирования проводящих филаментов.
«Такие устройства объединяют быстродействие оперативной памяти и надежность хранения данных. Это делает их весьма перспективными для использования в электронике автомобилей, носимых гаджетах, а также в системах интернета вещей и других энергозависимых приложениях, требующих устойчивости к экстремальным условиям», — подытожил он.
Ранее мы писали о том, что фотолитографическое оборудование с нормами 350 нм разрабатывает Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) вместе с белорусским заводом «Планар», а российский производитель микроэлектроники «Микрон» (входит в ГК «Элемент») выступает в этом соглашении в качестве технологического партнера.
_6821a97980f85.jpg)
