На базе секций №3 «Информационно-управляющие и радиотехнические системы» и №6 «Системы проектирования и моделирования электронных компонентов и систем» научной конференции Форума пройдет круглый стол «Актуальные вопросы создания отечественных САПР и маршрутов проектирования ЭКБ и электронных модулей».
Совместный круглый стол двух секций посвящен обсуждению планов создания и внедрения отечественных САПР, рассмотрению промежуточных результатов выполняемых по данной тематике НИОКР, а также их апробации.
В ходе мероприятия, в котором примут участие представители ФОИВ, институтов развития, ведущих российских дизайн-центров и разработчиков САПР, планируется обсудить дорожные карты по направлениям, результаты апробации новых инструментов и маршрутов проектирования электронной компонентной базы. Также будут рассмотрены первые результаты и планы внедрения искусственного интеллекта, роль САПР в цифровизации процессов разработки и производства отечественной ЭКБ и электронных модулей.
Модераторами круглого стола выступят: Шипицин Дмитрий Святославович, директор по развитию систем проектирования АО «НИИМЭ» и Переверзев Алексей Леонидович, проректор по инновационному развитию НИУ МИЭТ.
К участию в работе круглого стола приглашены представители Минпромторга России, ФПИ, АО «МНТЦ МИЭТ», АО «НПО КИС», АО «НИИМЭ», ООО «Альфачип», ООО «НМ-ТЕХ», ООО «Эремекс», АО «Аквариус», ООО «Систематика», ИСП РАН, ООО «Интегральные решения», ТУСУР, МГУ им. М. В. Ломоносова, МИЭТ, МФТИ, ПАО «ИНЭУМ им. И.С. Брука», ООО «Кванткад» и др.
Запланированы выступления Дождева Владимира Святославича, директора Департамента цифровых технологий Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Седова Антона Юрьевича, руководителя лаборатории внедрения САПР АО «МНТЦ МИЭТ», Ивановой Елены Николаевны, директора по разработке ПО АО «НПО КИС»; Шеховцова Дмитрия Витальевича, главного аналитика ООО «Систематика Консалтинг», Кисилёва Федора Дмитриевича, директора по продукту ООО «Кванткад», Бычкова Игната Николаевича, заместителя генерального директора ПАО «ИНЭУМ им. И. С. Брука», и Карабана Вадима Михайловича, руководителя проектов Центра ИИ Фонда перспективных исследований.
Также на форуме «Микроэлектроника 2026» пройдет обсуждение перспектив использования полярных материалов в микро- и наноэлектронике. На базе секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» научной конференции Форума будет проводиться круглый стол «Перспективные пьезо- и сегнетоэлектрические материалы для микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики: синтез и применение».
_6a1eb04130814.jpg)
Цель круглого стола — выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественными наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы получения перспективных полярных материалов и развития технологий для формирования передовых устройств микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики как одного из базовых элементов обеспечения технологического суверенитета.
Перспективы развития нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем «пьезоэлектрик/полупроводник», которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки информации по электронным и оптическим каналам. Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объемных акустических волн. Большое значение такие материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G.
Не менее важную роль пьезоэлектрические материалы играют в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций.
Для развития упомянутых направлений необходим поиск не только новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн). Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D-материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств на основе процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии.
Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике.
Поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники – только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.
В ходе круглого стола предполагается обсудить следующие вопросы: подготовка кадров, базовое образование в университетах в области получения и исследования полярных материалов, методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов, объемные монокристаллы и низкоразмерные 1D-кристаллы, развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомно-силовая микроскопия, сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта, новые подходы в фотонике и сенсорике.
Модераторами круглого стола выступят д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович и д.т.н. Бокарев Валерий Павлович.
Также приглашены к выступлению: Грачев С. Н., заместитель руководителя Департамента металлургии и материалов Минпромторга России, к.т.н. Машинин О.В., ООО БУТИС, Сорокин Б. П., Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств, д.т.н., член-корреспондент РАН Бородин В. А., ЭЗАН, д.т.н. Бокарев В.П., НИИМЭ
Ранее «Телеспутник» писал, что форум пройдет с 27 сентября по 3 октября 2026 года на традиционной площадке Научно-технологического университета «Сириус» (Федеральная территория «Сириус»).
Фото: пресс-служба Форума «Микроэлектроника 2026»
