«Проект “Изофаз-Д” создан в рамках совместной опытно-конструкторской работы Минпромторга и НИИТМ. Мы сделали экспериментальный образец установки осаждения диэлектрических слоёв. Установки позволяют обрабатывать пластины диаметром 100, 150 и 200 мм. Предусмотрена кассетная загрузка», — объяснил главный технолог НИИТМ Денис Костюков.
Установка работает полностью в автоматическом режиме, начиная от загрузки пластин, вакуумирования и обработки. Компановка «Изофаз-Д» модульная. Представленный на выставке образец позволяет загрузить кремниевую пластину, поместить её в рабочий реактор, камеру охлаждения и систему ориентирования. Непосредственный процесс осаждения диэлектрических слоёв происходит в рабочей камере при нагреве в глубоком вакууме. В камеру подаются необходимые газы, затем включается генератор, зажигается плазма, и в ходе реакции на поверхности пластины образуется необходимая плёнка.
Как пояснил Денис Костюков, это один из важнейших этапов при производстве электронных компонентов, когда чистая пластина с несколькими промежуточными слоями получает необходимый диэлектрический слой. Примечательно, что отечественная разработка позволяет достичь плазмы высокой плотности, что даёт возможность осаждать плёнку не только на планарную поверхность, но и на структуры с развитым рельефом.
Процесс осаждения диэлектрических слоёв — это технологическая операция, при которой на поверхность кремниевой пластины наносится тончайшая плёнка изолирующего материала, например, диоксида кремния. В специальной камере под воздействием температуры или плазмы молекулы газа вступают в реакцию и оседают на пластине ровным, прочным покрытием. В производстве кремниевых пластин этот процесс играет роль архитектора электронной схемы. Диэлектрик (изолятор) необходим, чтобы предотвратить утечку тока между миллиардами транзисторов на одном чипе. Чем равномернее и чище осаждён диэлектрик, тем выше быстродействие и надёжность будущего процессора или чипа памяти.
Ранее «Телеспутник» рассказывал, что на фоне спроса на чипы мировые поставщики материалов для полупроводников увеличивают инвестиции в развитие производства.
Фото: Тимур Гаджиев, «Телеспутник»
