Разработка позволить TSMC укрепить лидерство на рынке передовых полупроводниковых решений. Сообщается, что для дополнительного повышения производительности инженеры TSMC также разработали низкоомный слой редистрибуции (RDL) и сверхпроизводительные металл-диэлектрик-металл (MiM) конденсаторы.
Как отмечают в компании, технология N2 станет самой передовой в полупроводниковой индустрии с точки зрения как плотности размещения элементов, так и энергоэффективности. Ведущая структура нанотранзисторов nanosheet позволит обеспечить преимущества в производительности и энергосбережении, что отвечает растущим потребностям мирового рынка в энергоэффективных вычислениях.
Стратегия TSMC предполагает, что базовая платформа N2 и её будущие производные технологии позволят компании сохранить технологическое лидерство в долгосрочной перспективе.
Ранее «Телеспутник» сообщал, что мировой рынок полупроводников в 2026 году достигнет почти 1 трлн долларов.
